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IMBG120R140M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG120R140M1HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rodo à Medida92AH5311RL
Segmento de fita92AH5311
Gama de produtosCoolSiC Mosfet 1200V G2
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 7.360 | $ 7.36 |
| Total Preço | $ 7.36 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 7.360 |
| 50+ | $ 3.940 |
| 100+ | $ 3.620 |
| 250+ | $ 3.330 |
| 500+ | $ 3.180 |
| 1000+ | $ 3.120 |
| 2500+ | $ 3.050 |
| 5000+ | $ 2.990 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG120R140M1HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rodo à Medida92AH5311RL
Segmento de fita92AH5311
Gama de produtosCoolSiC Mosfet 1200V G2
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.14ohm
Drain Source On State Resistance0.189ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.7V
Power Dissipation Pd107W
Power Dissipation107W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
IMBG120R140M1HXTMA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology. Typical applications include drives, infrastructure – charger, energy generation solar string inverter and solar optimizer and industrial power supplies-industrial UPS.
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Fully controllable dV/dt
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- Package creepage and clearance distance <gt/> 6.1mm
- Sense pin for optimized switching performance
- Efficiency improvement, enabling higher frequency and increased power density
- Cooling effort reduction and reduction of system complexity and cost
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.189ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.7V
Power Dissipation
107W
Product Range
CoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
On Resistance Rds(on)
0.14ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
107W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto