Imprimir página
IGW40N120H3FKSA1
IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGW40N120H3FKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark13T9421
Também conhecido porIGW40N120H3, SP000667510
Seu número de peça
843 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.470 |
| 10+ | $ 4.520 |
| 25+ | $ 4.230 |
| 50+ | $ 3.930 |
| 100+ | $ 3.650 |
| 480+ | $ 3.450 |
| 720+ | $ 3.240 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 6.47
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGW40N120H3FKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark13T9421
Também conhecido porIGW40N120H3, SP000667510
Ficha técnica
Continuous Collector Current40A
DC Collector Current40A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.4V
Collector Emitter Saturation Voltage2.4V
Power Dissipation483W
Power Dissipation Pd483W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IGW40N120H3 is a High Speed IGBT in Trench and field-stop technology recommended in combination with SiC diode IDH15S120. The high speed device is used to reduce the size of the active components (25 to 70kHz). The high speed 3 family provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-OFF switching behaviour, leading to low turn-OFF losses. Furthermore, up to 15% efficiency improvement can be achieved by implementing this technology in your design.
- Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching @ frequencies below 70kHz
- Low switching losses for high efficiency
- Fast switching behaviour with low EMI emissions
- Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
- Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
- Short-circuit capability
- Excellent performance
- Low switching and conduction losses
- Very good EMI behaviour
- Small gate resistor for reduced delay time and voltage overshoot
- Best-in-class IGBT efficiency and EMI behaviour
- Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
- Green product
- Halogen-free
Aplicações
Alternative Energy, Power Management
Especificações Técnicas
Continuous Collector Current
40A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.4V
Power Dissipation
483W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
DC Collector Current
40A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.4V
Power Dissipation Pd
483W
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Documentação técnica (3)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto