Imprimir página
IGW30N60TFKSA1
IGBT, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGW30N60TFKSA1
Código Newark13T9420
Também conhecido porIGW30N60T, SP000054925
Seu número de peça
Ficha técnica
3 Em Estoque
Precisa de mais?
Envio no mesmo dia
Faça o pedido antes das 21h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.140 |
| 10+ | $ 3.590 |
| 25+ | $ 3.340 |
| 50+ | $ 3.080 |
| 100+ | $ 2.820 |
| 480+ | $ 2.660 |
| 720+ | $ 2.570 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 5.14
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGW30N60TFKSA1
Código Newark13T9420
Também conhecido porIGW30N60T, SP000054925
Ficha técnica
DC Collector Current30A
Continuous Collector Current30A
Collector Emitter Saturation Voltage2.05V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.05V
Power Dissipation Pd187W
Power Dissipation187W
Collector Emitter Voltage Max600V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IGW30N60T is a Low Loss IGBT in TRENCHSTOP™ and field-stop technology. The TrenchStop® IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of TrenchStop®-cell and field-stop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-ON losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
- Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
- Low switching losses
- Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
- Very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode
- High ruggedness, temperature stable behaviour
- Low EMI emissions
- Low gate charge
- Very tight parameter distribution
- Highest efficiency - Low conduction and switching losses
- High device reliability
- 5µs Short-circuit withstand time
- Green product
- Halogen-free
Aplicações
Power Management, Alternative Energy, Consumer Electronics, HVAC, Industrial
Especificações Técnicas
DC Collector Current
30A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.05V
Power Dissipation Pd
187W
Collector Emitter Voltage Max
600V
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Continuous Collector Current
30A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.05V
Power Dissipation
187W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Documentação técnica (1)
Alternativas para IGW30N60TFKSA1
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto