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IGLR70R140D2SXUMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 700 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGLR70R140D2SXUMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rodo à Medida27AM0093RL
Segmento de fita27AM0093
Gama de produtosCoolGaN G5 Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.040 | $ 3.04 |
| Total Preço | $ 3.04 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.040 |
| 50+ | $ 1.870 |
| 100+ | $ 1.330 |
| 250+ | $ 1.220 |
| 500+ | $ 1.110 |
| 1000+ | $ 1.060 |
| 2500+ | $ 1.020 |
| 5000+ | $ 0.873 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGLR70R140D2SXUMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rodo à Medida27AM0093RL
Segmento de fita27AM0093
Gama de produtosCoolGaN G5 Series
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.17ohm
Typical Gate Charge1.8nC
Transistor Case StyleTSON
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN G5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
IGLR70R140D2SXUMA1 is a CoolGaN™ G5 highly efficient gallium nitride (GaN) transistor designed for power conversion at 700V. It enables higher power density, supports reduced system BOM cost, and facilitates miniaturized form factors. Produced using 200mm (8-inch) wafer technology and fully automated production lines, it features narrow production tolerances and the highest product quality. It is ideal for consumer applications like chargers, adapters, TV power, and home appliances.
- Qualified according to JEDEC standard, 2kV HBM ESD standards
- Enhancement mode transistor, ultra‑fast switching, no reverse‑recovery charge
- Capable of reverse conduction, low gate and output charge, superior commutation ruggedness
- Normally OFF transistor technology ensures safe operation
- Enables rapid and precise power delivery control
- Improves system efficiency and reliability
- Ensures robust performance under challenging conditions
- Drain‑source on‑state resistance is 0.140 ohm typ at IG =10mA; ID =3.1A; Tj =25°C
- PG‑TSON‑8 package
- Operating junction temperature range from ‑40 to 150°C
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Case Style
TSON
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
13A
Typical Gate Charge
1.8nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto