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IGC033S10S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 76 A, 0.0033 ohm, 11 nC, TSON, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGC033S10S1XTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida22AM1422RL
Segmento de fita22AM1422
Gama de produtosCoolGaN G3 Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.510 | $ 4.51 |
| Total Preço | $ 4.51 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.510 |
| 50+ | $ 2.310 |
| 100+ | $ 2.100 |
| 250+ | $ 1.950 |
| 500+ | $ 1.790 |
| 1000+ | $ 1.750 |
| 2500+ | $ 1.720 |
| 5000+ | $ 1.680 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGC033S10S1XTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida22AM1422RL
Segmento de fita22AM1422
Gama de produtosCoolGaN G3 Series
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id76A
Drain Source On State Resistance0.0033ohm
Typical Gate Charge11nC
Transistor Case StyleTSON
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins6Pins
Product RangeCoolGaN G3 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
IGC033S10S1XTMA1 is a CoolGaN™ G3 100V, 2.4mohm normally-off e-mode power transistor, enabling high-power density designs. It is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage and high-current applications. Suitable for telecom & datacenter 48V IBC, sync rectification for AC‑DC and DC‑DC converters, robotics and drones, battery powered tools, 48V servo drive, e‑Mobility, UAVs, Class D audio, solar & energy storage systems, point of load converters applications.
- Ultra fast switching and high efficiency
- No reverse recovery charge, space saving and highly robust package
- Ultra low gate charge and output charge
- Exposed die for top‑side thermal excellence
- Best-in-class power density, highest efficiency, excellent reliability, lowering BOM cost
- Improved thermal management
- Enabling smaller and lighter designs
- 120V max pulsed drain‑source voltage at VGS=0V, 1h total time
- 76A max continuous drain current at Vgs=5V, T =25°C
- 6 pin TSON package, junction temperature range from ‑40 to 150°C
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0033ohm
Transistor Case Style
TSON
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
76A
Typical Gate Charge
11nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN G3 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto