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IDW40G65C5BXKSA2
Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ Gen V Series, Dual Common Cathode, 650 V, 20 A, 29 nC
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIDW40G65C5BXKSA2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark22AJ2194
Gama de produtosthinQ Gen V Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 13.320 |
| 10+ | $ 11.600 |
| 25+ | $ 9.870 |
| 50+ | $ 8.150 |
| 100+ | $ 7.530 |
| 250+ | $ 7.010 |
| 500+ | $ 6.870 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 13.32
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIDW40G65C5BXKSA2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark22AJ2194
Gama de produtosthinQ Gen V Series
Ficha técnica
Product RangethinQ Gen V Series
Diode ConfigurationDual Common Cathode
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current20A
Total Capacitive Charge29nC
Diode Case StyleTO-247
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Product Range
thinQ Gen V Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
29nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Diode Configuration
Dual Common Cathode
Average Forward Current
20A
Diode Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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