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IDH10G120C5XKSA1
Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ, Single, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-220
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIDH10G120C5XKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark12AC9655
Gama de produtosthinQ
Ficha técnica
Product RangethinQ
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current31.9A
Total Capacitive Charge41nC
Diode Case StyleTO-220
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Product Range
thinQ
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
41nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
31.9A
Diode Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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