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IDD04SG60CXTMA2
Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ Gen III Series, Single, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK)
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIDD04SG60CXTMA2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida62AC6976RL
Segmento de fita62AC6976
Gama de produtosthinQ Gen III Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.250 | $ 3.25 |
| Total Preço | $ 3.25 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.250 |
| 50+ | $ 2.110 |
| 100+ | $ 1.460 |
| 250+ | $ 1.340 |
| 500+ | $ 1.210 |
| 1000+ | $ 1.140 |
| 2500+ | $ 1.060 |
| 5000+ | $ 1.040 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIDD04SG60CXTMA2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida62AC6976RL
Segmento de fita62AC6976
Gama de produtosthinQ Gen III Series
Ficha técnica
Product RangethinQ Gen III Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage600V
Average Forward Current4A
Total Capacitive Charge4.5nC
Diode Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
IDD04SG60CXTMA2 is a 3rd generation thinQ!™ SiC schottky diode. Application includes SMPS e.g.; CCM PFC, motor drives, solar applications, UPS.
- Revolutionary semiconductor material silicon carbide
- Switching behaviour benchmark
- No reverse recovery / no forward recovery
- Temperature independent switching behaviour
- High surge current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Optimized for high temperature operation, lowest figure of merit QC/IF
- Repetitive peak reverse voltage is 600V (T j=25°C), total capacitive charge is 4.5nC (typ,T j=150°C)
- Continuous forward current is 4A (T C<130°C)
- PG-TO252-3 package, operating and storage temperature range from -55 to 175°C
Especificações Técnicas
Product Range
thinQ Gen III Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
600V
Total Capacitive Charge
4.5nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
4A
Diode Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto