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GS61008PMRXUSA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteGS61008PMRXUSA1Cópia
Código Newark
Rodo à Medida42AM5352RL
Segmento de fita42AM5352
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteGS61008PMRXUSA1Cópia
Código Newark
Rodo à Medida42AM5352RL
Segmento de fita42AM5352
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance0.0095ohm
Typical Gate Charge8nC
Transistor Case StyleGaNPX
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins5Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0095ohm
Transistor Case Style
GaNPX
No. of Pins
5Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
90A
Typical Gate Charge
8nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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