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FF6MR12W2M1PB11BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, Module
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteFF6MR12W2M1PB11BPSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark91AH7523
Gama de produtosEasyDUAL CoolSiC
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 317.320 |
| 5+ | $ 312.850 |
| 10+ | $ 308.380 |
| 25+ | $ 303.920 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteFF6MR12W2M1PB11BPSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark91AH7523
Gama de produtosEasyDUAL CoolSiC
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Transistor PolarityDual N Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.00563ohm
Drain Source On State Resistance0.00563ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEasyDUAL CoolSiC
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Transistor Polarity
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.00563ohm
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyDUAL CoolSiC
Channel Type
Dual N Channel
Continuous Drain Current Id
200A
On Resistance Rds(on)
0.00563ohm
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2018)
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Certificado de conformidade do produto