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BSZ110N06NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 20 A, 11 mohm, PG-TSDSON, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSZ110N06NS3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark47W3364
Também conhecido porBSZ110N06NS3 G, SP000453676
Seu número de peça
Disponível para encomenda
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.300 |
| 10+ | $ 0.554 |
| 100+ | $ 0.407 |
| 500+ | $ 0.345 |
| 1000+ | $ 0.303 |
| 2500+ | $ 0.299 |
| 10000+ | $ 0.296 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.30
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSZ110N06NS3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark47W3364
Também conhecido porBSZ110N06NS3 G, SP000453676
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance11mohm
On Resistance Rds(on)0.009ohm
Transistor Case StylePG-TSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd50W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation50W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSZ110N06NS3 G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
Aplicações
Power Management, Alternative Energy, Motor Drive & Control, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
11mohm
Transistor Case Style
PG-TSDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
On Resistance Rds(on)
0.009ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
50W
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para BSZ110N06NS3GATMA1
2 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
