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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSZ100N06LS3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark47W3363
Gama de produtosOptiMOS Series
Também conhecido porBSZ100N06LS3 G, SP000453672
Seu número de peça
217,076 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.780 |
| 10+ | $ 1.130 |
| 100+ | $ 0.756 |
| 500+ | $ 0.599 |
| 1000+ | $ 0.533 |
| 2500+ | $ 0.500 |
| 10000+ | $ 0.462 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.78
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSZ100N06LS3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark47W3363
Gama de produtosOptiMOS Series
Também conhecido porBSZ100N06LS3 G, SP000453672
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id20A
On Resistance Rds(on)0.008ohm
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StylePG-TSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd50W
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation50W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSZ100N06LS3 G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
Aplicações
Power Management, Alternative Energy, Motor Drive & Control, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.008ohm
Transistor Case Style
PG-TSDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
50W
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para BSZ100N06LS3GATMA1
2 produtos encontrados
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
