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BSZ096N10LS5ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 40 A, 8200 µohm, TSDSON-FL, Surface Mount
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.540 | $ 2.54 |
| Total Preço | $ 2.54 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.540 |
| 10+ | $ 1.650 |
| 25+ | $ 1.480 |
| 50+ | $ 1.300 |
| 100+ | $ 1.130 |
| 250+ | $ 1.030 |
| 500+ | $ 0.927 |
| 1000+ | $ 0.833 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSZ096N10LS5ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida39AH8785RL
Segmento de fita39AH8785
Gama de produtosOptiMOS 5
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id40A
On Resistance Rds(on)0.0082ohm
Drain Source On State Resistance8200µohm
Transistor Case StyleTSDSON-FL
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd69W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 5
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0082ohm
Transistor Case Style
TSDSON-FL
Power Dissipation Pd
69W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
8200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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