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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSZ086P03NS3EGATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rolo completo87AK5513
Rodo à Medida50Y1832RL
Segmento de fita50Y1832
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.390 | $ 1.39 |
| Total Preço | $ 1.39 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.390 |
| 10+ | $ 0.874 |
| 25+ | $ 0.775 |
| 50+ | $ 0.676 |
| 100+ | $ 0.576 |
| 250+ | $ 0.512 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5000+ | $ 0.323 |
| 10000+ | $ 0.312 |
| 20000+ | $ 0.300 |
| 30000+ | $ 0.286 |
| 50000+ | $ 0.285 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSZ086P03NS3EGATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rolo completo87AK5513
Rodo à Medida50Y1832RL
Segmento de fita50Y1832
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id40A
On Resistance Rds(on)0.0065ohm
Drain Source On State Resistance8.6mohm
Transistor Case StyleTSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd69W
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
Optima's™ P3 power transistor suitable for battery management, load switching applications.
- Single P-channel
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Specially suited for notebook applications (VGS=25V)
- ESD protected
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0065ohm
Transistor Case Style
TSDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
69W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
8.6mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
