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BSZ067N06LS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 20 A, 0.0067 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSZ067N06LS3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark47W3361
Também conhecido porBSZ067N06LS3 G, SP000451080
Seu número de peça
Disponível para encomenda
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.390 |
| 10+ | $ 1.560 |
| 100+ | $ 1.010 |
| 500+ | $ 0.850 |
| 1000+ | $ 0.738 |
| 2500+ | $ 0.713 |
| 10000+ | $ 0.688 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.39
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSZ067N06LS3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark47W3361
Também conhecido porBSZ067N06LS3 G, SP000451080
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.0067ohm
On Resistance Rds(on)0.005ohm
Transistor Case StylePG-TSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd69W
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSZ067N06LS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Ideal for fast switching applications
- MSL1 rated
- Highest system efficiency
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Normal level
- 100% Avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, Consumer Electronics, Portable Devices, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0067ohm
Transistor Case Style
PG-TSDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
On Resistance Rds(on)
0.005ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
69W
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para BSZ067N06LS3GATMA1
2 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
