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BSZ050N03LSGATMA1
MOSFET, N CH, 40A, 30V, PG-TSDSON-8
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSZ050N03LSGATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark60R2532
Também conhecido porBSZ050N03LS G, SP000304139
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.170 |
| 10+ | $ 0.723 |
| 100+ | $ 0.471 |
| 500+ | $ 0.363 |
| 1000+ | $ 0.329 |
| 2500+ | $ 0.299 |
| 10000+ | $ 0.246 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSZ050N03LSGATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark60R2532
Também conhecido porBSZ050N03LS G, SP000304139
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.005ohm
On Resistance Rds(on)0.0042ohm
Transistor Case StylePG-TSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd50W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation50W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSZ050N03LS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. It is tailored to the needs of power management by improved EMI behaviour, as well as increased battery life. It is available in half-bridge configuration.
- Easy to design in
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Saving space
- Reducing power losses
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Logic level
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Superior thermal resistance
- Avalanche rated
- Halogen-free, Green device
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control, LED Lighting, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, Consumer Electronics
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
On Resistance Rds(on)
0.0042ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.005ohm
Transistor Case Style
PG-TSDSON
Power Dissipation Pd
50W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Alternativas para BSZ050N03LSGATMA1
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto