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BSZ018N04LS6ATMA1
MOSFET, N-CH, 40V, 40A, 175DEG C, 83W
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.570 | $ 1.57 |
| Total Preço | $ 1.57 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.570 |
| 10+ | $ 1.280 |
| 25+ | $ 1.230 |
| 50+ | $ 1.160 |
| 100+ | $ 1.110 |
| 250+ | $ 1.070 |
| 500+ | $ 1.020 |
| 1000+ | $ 0.941 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSZ018N04LS6ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida42AH1629RL
Segmento de fita42AH1629
Gama de produtosOptiMOS 6
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id40A
On Resistance Rds(on)0.0016ohm
Drain Source On State Resistance1600µohm
Transistor Case StyleTSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd83W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 6
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0016ohm
Transistor Case Style
TSDSON
Power Dissipation Pd
83W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 6
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
1600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto