Imprimir página
BSS83PH6327XTSA1
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSS83PH6327XTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4567
Rodo à Medida87X8605RL
Segmento de fita87X8605
Também conhecido porBSS83P H6327, SP000702486
Seu número de peça
160,676 Em Estoque
108,000 Você pode reservar estoque agora
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.412 | $ 2.06 |
| Total Preço | $ 2.06 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.412 |
| 15+ | $ 0.255 |
| 25+ | $ 0.250 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 9000+ | $ 0.082 |
| 27000+ | $ 0.080 |
| 45000+ | $ 0.079 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSS83PH6327XTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4567
Rodo à Medida87X8605RL
Segmento de fita87X8605
Também conhecido porBSS83P H6327, SP000702486
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id330mA
Drain Source On State Resistance2ohm
On Resistance Rds(on)1.4ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd360mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSS83P H6327 is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
- Small signal packages approved to AEC-Q101
- Logic level
- dV/dt Rated
- Halogen-free, Green device
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
330mA
On Resistance Rds(on)
1.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
360mW
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
-
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
