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BSS806NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSS806NH6327XTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante31 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4565
Rodo à Medida85X4157RL
Segmento de fita85X4157
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.486 | $ 0.49 |
| Total Preço | $ 0.49 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.486 |
| 10+ | $ 0.298 |
| 25+ | $ 0.260 |
| 50+ | $ 0.224 |
| 100+ | $ 0.186 |
| 250+ | $ 0.163 |
| 500+ | $ 0.139 |
| 1000+ | $ 0.123 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.083 |
| 6000+ | $ 0.078 |
| 12000+ | $ 0.074 |
| 18000+ | $ 0.070 |
| 30000+ | $ 0.064 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSS806NH6327XTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante31 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4565
Rodo à Medida85X4157RL
Segmento de fita85X4157
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.3A
On Resistance Rds(on)0.041ohm
Drain Source On State Resistance0.057ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd500mW
Rds(on) Test Voltage2.5V
Gate Source Threshold Voltage Max550mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSS806N H6327 is a N-channel OptiMOS™2 enhancement-mode Small Signal Transistor offers 1.8V rated ultra logic level.
- Halogen-free
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.041ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
500mW
Gate Source Threshold Voltage Max
550mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Drain Source On State Resistance
0.057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
-
Documentação técnica (1)
Alternativas para BSS806NH6327XTSA1
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto