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BSP295H6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 1.8 A, 0.3 ohm, SOT-223, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSP295H6327XTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4507
Rodo à Medida68AC4414RL
Segmento de fita68AC4414
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.610 | $ 1.61 |
| Total Preço | $ 1.61 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.610 |
| 10+ | $ 1.010 |
| 25+ | $ 0.896 |
| 50+ | $ 0.780 |
| 100+ | $ 0.664 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 0.358 |
| 2000+ | $ 0.342 |
| 4000+ | $ 0.325 |
| 6000+ | $ 0.307 |
| 10000+ | $ 0.285 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSP295H6327XTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4507
Rodo à Medida68AC4414RL
Segmento de fita68AC4414
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.8A
On Resistance Rds(on)0.22ohm
Drain Source On State Resistance0.3ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Power Dissipation Pd1.8W
Power Dissipation1.8W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- 60V, 1.8A SIPMOS® N-channel small signal transistor in 4 pin SOT-223 package
- Enhancement mode
- dv/dt rated
- Qualified according to AEC Q101
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.22ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.8W
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.8A
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
Power Dissipation
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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