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BSO220N03MDGXUMA1
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSO220N03MDGXUMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4497
Rodo à Medida79X1339RL
Segmento de fita79X1339
Também conhecido porBSO220N03MD G, SP000447478
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.120 | $ 5.60 |
| Total Preço | $ 5.60 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.120 |
| 50+ | $ 0.491 |
| 100+ | $ 0.363 |
| 250+ | $ 0.335 |
| 500+ | $ 0.307 |
| 1000+ | $ 0.287 |
| 2500+ | $ 0.280 |
| 5000+ | $ 0.274 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.295 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSO220N03MDGXUMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4497
Rodo à Medida79X1339RL
Segmento de fita79X1339
Também conhecido porBSO220N03MD G, SP000447478
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0183ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0183ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSO220N03MD G is a dual N-channel MOSFET optimized for 5V driver application (notebook, VGA and POL) and qualified for consumer level application. The ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages make OptiMOS™ power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in server, data-com and telecom applications.
- Low FOMSW for high frequency SMPS
- 100% Avalanche tested
- Very low ON-resistance
- Excellent gate charge
- Halogen-free
Aplicações
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0183ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0183ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto