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BSL308PEH6327XTSA1
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 2 A, 0.062 ohm, TSOP, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSL308PEH6327XTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida13AC8345RL
Segmento de fita13AC8345
Gama de produtosOptiMOS P3 Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.941 | $ 0.94 |
| Total Preço | $ 0.94 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.941 |
| 50+ | $ 0.583 |
| 100+ | $ 0.378 |
| 250+ | $ 0.334 |
| 500+ | $ 0.290 |
| 1000+ | $ 0.262 |
| 2500+ | $ 0.257 |
| 5000+ | $ 0.252 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSL308PEH6327XTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida13AC8345RL
Segmento de fita13AC8345
Gama de produtosOptiMOS P3 Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id2A
Continuous Drain Current Id N Channel2A
Continuous Drain Current Id P Channel2A
Drain Source On State Resistance N Channel0.062ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.062ohm
Transistor Case StyleTSOP
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel500mW
Power Dissipation P Channel500mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS P3 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- OptiMOS™ P3 small-signal-transistor
- Dual P-channel
- Enhancement mode
- Logic level (4.5V rated)
- ESD protected
- Qualified according to AEC Q101
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
2A
Continuous Drain Current Id P Channel
2A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.062ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
500mW
Product Range
OptiMOS P3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.062ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation N Channel
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto