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BSD235NH6327XTSA1
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 950 mA, 0.266 ohm, SOT-363, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSD235NH6327XTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4486
Rodo à Medida46AC0522RL
Segmento de fita46AC0522
Gama de produtosOptiMOS 2 Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.431 | $ 0.43 |
| Total Preço | $ 0.43 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.431 |
| 50+ | $ 0.270 |
| 100+ | $ 0.171 |
| 250+ | $ 0.149 |
| 500+ | $ 0.127 |
| 1000+ | $ 0.113 |
| 2500+ | $ 0.104 |
| 5000+ | $ 0.094 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 9000+ | $ 0.085 |
| 18000+ | $ 0.079 |
| 36000+ | $ 0.073 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSD235NH6327XTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4486
Rodo à Medida46AC0522RL
Segmento de fita46AC0522
Gama de produtosOptiMOS 2 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id950mA
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel950mA
Continuous Drain Current Id P Channel950mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.266ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.266ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel500mW
Power Dissipation P Channel500mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 2 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- OptiMOS™ 2 small-signal-transistor
- Dual N-channel
- Enhancement mode
- Super logic level (2.5V rated)
- Avalanche rated
- Qualified according to AEC Q101
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
950mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.266ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
500mW
Product Range
OptiMOS 2 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
950mA
Continuous Drain Current Id N Channel
950mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.266ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
