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BSD235CH6327XTSA1
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSD235CH6327XTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4485
Rodo à Medida47Y8000RL
Segmento de fita47Y8000
Também conhecido porBSD235C H6327, SP000917610
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.500 | $ 2.50 |
| Total Preço | $ 2.50 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.500 |
| 50+ | $ 0.306 |
| 100+ | $ 0.194 |
| 250+ | $ 0.170 |
| 500+ | $ 0.145 |
| 1000+ | $ 0.129 |
| 2500+ | $ 0.126 |
| 5000+ | $ 0.124 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 9000+ | $ 0.091 |
| 18000+ | $ 0.084 |
| 36000+ | $ 0.078 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSD235CH6327XTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4485
Rodo à Medida47Y8000RL
Segmento de fita47Y8000
Também conhecido porBSD235C H6327, SP000917610
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id950mA
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel950mA
Continuous Drain Current Id P Channel950mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.266ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.266ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel500mW
Power Dissipation P Channel500mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSD235C H6327 is a N/P-channel Power MOSFET within the same package are part of Infineon's famous low voltage OptiMOS™ families, the market leader in high efficiency solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle). It is suitable for use with DC to Dc converters and on-board charger applications.
- Complementary P + N channel
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
950mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.266ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
500mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
950mA
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
950mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.266ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
