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BSC16DN25NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 10.9 A, 0.165 ohm, TDSON, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC16DN25NS3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4474
Rodo à Medida50Y1814RL
Segmento de fita50Y1814
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.450 | $ 2.45 |
| Total Preço | $ 2.45 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.450 |
| 10+ | $ 1.370 |
| 25+ | $ 1.260 |
| 50+ | $ 1.140 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5000+ | $ 0.748 |
| 10000+ | $ 0.720 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC16DN25NS3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4474
Rodo à Medida50Y1814RL
Segmento de fita50Y1814
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id10.9A
Drain Source On State Resistance0.165ohm
On Resistance Rds(on)0.146ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation62.5W
Power Dissipation Pd62.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSC16DN25NS3 G is a N-channel Power MOSFET produce based on OptiMOS™ leading benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
- Industry's lowest RDS (ON)
- Lowest Qg and Qgd
- World's lowest FOM and MSL 1 rated
- Highest efficiency
- Highest Power density
- Lowest board space consumption
- Minimal device paralleling required
- Environmentally friendly
- Easy-to-design-in products
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.165ohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10.9A
On Resistance Rds(on)
0.146ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto