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BSC100N06LS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC100N06LS3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante51 semanas
Código Newark47W3311
Também conhecido porBSC100N06LS3 G, SP000453664
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.180 |
| 10+ | $ 0.776 |
| 100+ | $ 0.608 |
| 500+ | $ 0.595 |
| 1000+ | $ 0.581 |
| 2500+ | $ 0.568 |
| 10000+ | $ 0.554 |
Unidades por pacoteEach
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC100N06LS3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante51 semanas
Código Newark47W3311
Também conhecido porBSC100N06LS3 G, SP000453664
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id50A
On Resistance Rds(on)0.0078ohm
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd50W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation50W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSC100N06LS3 G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Saving space
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
Aplicações
Power Management, Alternative Energy, Motor Drive & Control, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0078ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation Pd
50W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para BSC100N06LS3GATMA1
2 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
