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BSC0901NSIATMA1
MOSFET, N-CH, 30V, 100A, TDSON
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.720 | $ 1.72 |
| Total Preço | $ 1.72 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.720 |
| 10+ | $ 1.090 |
| 25+ | $ 0.969 |
| 50+ | $ 0.849 |
| 100+ | $ 0.728 |
| 250+ | $ 0.651 |
| 500+ | $ 0.574 |
| 1000+ | $ 0.524 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC0901NSIATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida13AC8336
Segmento de fita13AC8336
Gama de produtosOptiMOS
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0017ohm
Drain Source On State Resistance1700µohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd69W
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0017ohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
69W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
1700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para BSC0901NSIATMA1
7 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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