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BSC0803LSATMA1
MOSFET, N-CH, 100V, 44A, PG-TDSON
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.580 | $ 1.58 |
| Total Preço | $ 1.58 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.580 |
| 10+ | $ 1.360 |
| 25+ | $ 1.220 |
| 50+ | $ 1.110 |
| 100+ | $ 0.925 |
| 250+ | $ 0.820 |
| 500+ | $ 0.712 |
| 1000+ | $ 0.682 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC0803LSATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rodo à Medida78AH7108RL
Segmento de fita78AH7108
Gama de produtosOptiMOS 5
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source On State Resistance0.0122ohm
On Resistance Rds(on)0.0122ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation52W
Power Dissipation Pd52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 5
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0122ohm
Transistor Case Style
PG-TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
44A
On Resistance Rds(on)
0.0122ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation Pd
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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