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BSC0802LSATMA1
MOSFET, N-CH, 100V, 100A, PG-TDSON
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.690 | $ 4.69 |
| Total Preço | $ 4.69 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.690 |
| 10+ | $ 3.060 |
| 25+ | $ 2.830 |
| 50+ | $ 2.620 |
| 100+ | $ 2.390 |
| 250+ | $ 2.190 |
| 500+ | $ 2.000 |
| 1000+ | $ 1.850 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC0802LSATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rodo à Medida78AH7107RL
Segmento de fita78AH7107
Gama de produtosOptiMOS 5
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance3400µohm
On Resistance Rds(on)0.0028ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation156W
Power Dissipation Pd156W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 5
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3400µohm
Transistor Case Style
PG-TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation Pd
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2018)
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