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BSC060P03NS3EGATMA1
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 110 A, 0.006 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC060P03NS3EGATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4452
Rodo à Medida79X1334RL
Segmento de fita79X1334
Também conhecido porBSC060P03NS3E G, SP000472984
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.540 | $ 1.54 |
| Total Preço | $ 1.54 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.540 |
| 10+ | $ 0.991 |
| 25+ | $ 0.897 |
| 50+ | $ 0.802 |
| 100+ | $ 0.709 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5000+ | $ 0.408 |
| 10000+ | $ 0.387 |
| 20000+ | $ 0.373 |
| 30000+ | $ 0.369 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC060P03NS3EGATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4452
Rodo à Medida79X1334RL
Segmento de fita79X1334
Também conhecido porBSC060P03NS3E G, SP000472984
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance0.006ohm
On Resistance Rds(on)0.0041ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd83W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSC060P03NS3E G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Normal level, logic level or super logic level
- 100% Avalanche rated
- ESD Protected
- Qualified to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
110A
On Resistance Rds(on)
0.0041ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
83W
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para BSC060P03NS3EGATMA1
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto