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BSC060N10NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 90 A, 0.006 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC060N10NS3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4451
Rodo à Medida79X1333RL
Segmento de fita79X1333
Também conhecido porBSC060N10NS3 G, SP000446584
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.770 | $ 2.77 |
| Total Preço | $ 2.77 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.770 |
| 10+ | $ 1.780 |
| 25+ | $ 1.620 |
| 50+ | $ 1.450 |
| 100+ | $ 1.290 |
| 250+ | $ 1.160 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5000+ | $ 0.781 |
| 10000+ | $ 0.769 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC060N10NS3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4451
Rodo à Medida79X1333RL
Segmento de fita79X1333
Também conhecido porBSC060N10NS3 G, SP000446584
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance0.006ohm
On Resistance Rds(on)0.0053ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd125W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSC060N10NS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Environmentally friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Halogen-free
- MSL1 rated 2
Aplicações
Power Management, Audio, Motor Drive & Control, Industrial, Automotive
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation Pd
125W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
On Resistance Rds(on)
0.0053ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para BSC060N10NS3GATMA1
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
