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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC059N04LSGATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark60R2499
Também conhecido porBSC059N04LS G, SP000391499
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.560 |
| 10+ | $ 0.971 |
| 100+ | $ 0.639 |
| 500+ | $ 0.507 |
| 1000+ | $ 0.451 |
| 2500+ | $ 0.422 |
| 10000+ | $ 0.346 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.56
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC059N04LSGATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark60R2499
Também conhecido porBSC059N04LS G, SP000391499
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id73A
Drain Source On State Resistance0.0059ohm
On Resistance Rds(on)0.0049ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd50W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation50W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSC059N04LS G is a 40V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. The MOSFET is ideal for fast switching applications. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Saving space
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0059ohm
Transistor Case Style
PG-TDSON
Power Dissipation Pd
50W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
73A
On Resistance Rds(on)
0.0049ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para BSC059N04LSGATMA1
1 produto encontrado
Produtos associados
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Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
