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BSC054N04NSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 81 A, 5.4 mohm, PG-TSDSON, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC054N04NSGATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark60R2496
Também conhecido porBSC054N04NS G , SP000354808
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.300 |
| 10+ | $ 0.810 |
| 100+ | $ 0.533 |
| 500+ | $ 0.423 |
| 1000+ | $ 0.376 |
| 2500+ | $ 0.344 |
| 10000+ | $ 0.288 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC054N04NSGATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark60R2496
Também conhecido porBSC054N04NS G , SP000354808
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id81A
On Resistance Rds(on)0.0045ohm
Drain Source On State Resistance5.4mohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd57W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSC054N04NS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). In addition it can be used for a broad range of industrial applications including fast switching DC-to-DC converter.
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Ideal for fast switching applications
- MSL1 rated
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Logic level
- Superior thermal resistance
- 100% Avalanche tested
- Halogen-free, Green device
- Qualified according to JEDEC for target applications
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Portable Devices, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
81A
Drain Source On State Resistance
5.4mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0045ohm
Transistor Case Style
PG-TDSON
Power Dissipation Pd
57W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para BSC054N04NSGATMA1
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos