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BSC050NE2LSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 58 A, 0.005 ohm, TDSON, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC050NE2LSATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rodo à Medida47Y7994RL
Segmento de fita47Y7994
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.040 | $ 1.04 |
| Total Preço | $ 1.04 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.040 |
| 10+ | $ 0.712 |
| 25+ | $ 0.634 |
| 50+ | $ 0.556 |
| 100+ | $ 0.479 |
| 250+ | $ 0.426 |
| 500+ | $ 0.374 |
| 1000+ | $ 0.319 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC050NE2LSATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rodo à Medida47Y7994RL
Segmento de fita47Y7994
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source On State Resistance5000µohm
On Resistance Rds(on)0.0042ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd28W
Power Dissipation28W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSC050NE2LS is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. Ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator applications. It is available in half-bridge configuration. It minimizes EMI in the system making external snubber networks obsolete and the products easy to design-in.
- Reduces the number of phases in multiphase converters
- Reduce power losses and increase efficiency for all load conditions
- Save space with smallest packages like CanPAK™
- Optimized for high performance buck converter
- Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
5000µohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
28W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
58A
On Resistance Rds(on)
0.0042ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
28W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto