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BSC047N08NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 100 A, 0.0047 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC047N08NS3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark60R2492
Também conhecido porSP000436372
Seu número de peça
Disponível para encomenda
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.560 |
| 10+ | $ 1.650 |
| 100+ | $ 1.120 |
| 500+ | $ 0.901 |
| 1000+ | $ 0.829 |
| 2500+ | $ 0.812 |
| 5000+ | $ 0.796 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.56
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC047N08NS3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark60R2492
Também conhecido porSP000436372
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0047ohm
On Resistance Rds(on)0.0039ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd125W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSC047N08NS3 G is a 80V N-channel Power MOSFET that offers superior solutions for high efficiency and high power-density SMPS. The OptiMOS™ MOSFET offers industry's lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.
- Dual sided cooling
- Low parasitic inductance
- Low profile (<lt/>0.7mm)
- Reduced switching and conduction losses
- Very low on-resistance RDS(on)
- Superior thermal resistance
Aplicações
Alternative Energy, Consumer Electronics, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Power Management, LED Lighting, Motor Drive & Control
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0047ohm
Transistor Case Style
PG-TDSON
Power Dissipation Pd
125W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Alternativas para BSC047N08NS3GATMA1
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
