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BSC036NE7NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 100 A, 0.0036 ohm, TDSON, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC036NE7NS3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4441
Rodo à Medida50Y1801RL
Segmento de fita50Y1801
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.730 | $ 3.73 |
| Total Preço | $ 3.73 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.730 |
| 10+ | $ 2.270 |
| 25+ | $ 2.090 |
| 50+ | $ 1.910 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5000+ | $ 1.090 |
| 10000+ | $ 1.050 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC036NE7NS3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4441
Rodo à Medida50Y1801RL
Segmento de fita50Y1801
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0036ohm
On Resistance Rds(on)0.0029ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation Pd156W
Power Dissipation156W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- Optima's ™ 3 power transistor
- Optimized technology for synchronous rectification
- Ideal for high frequency switching and DC/DC converters
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Superior thermal resistance
- N-channel, normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.0036ohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
156W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0029ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para BSC036NE7NS3GATMA1
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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