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BSC030P03NS3GAUMA1
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC030P03NS3GAUMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante51 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4436
Rodo à Medida85X4150RL
Segmento de fita85X4150
Também conhecido porBSC030P03NS3 G, SP000442470
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 2.990 | $ 14.95 |
| Total Preço | $ 14.95 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 2.990 |
| 10+ | $ 1.940 |
| 15+ | $ 1.790 |
| 25+ | $ 1.630 |
| 50+ | $ 1.480 |
| 125+ | $ 1.330 |
| 250+ | $ 1.210 |
| 500+ | $ 1.080 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5000+ | $ 0.912 |
| 15000+ | $ 0.894 |
| 25000+ | $ 0.876 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC030P03NS3GAUMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante51 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4436
Rodo à Medida85X4150RL
Segmento de fita85X4150
Também conhecido porBSC030P03NS3 G, SP000442470
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance3000µohm
On Resistance Rds(on)0.0023ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd125W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSC030P03NS3 G is a P-channel OptiMOS™ power MOSFET consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics. It is suitable for use with DC-to-DC converters, eMobility, notebook and on-board charger applications.
- Enhancement-mode
- Normal level, logic level or super logic level
- Avalanche rated
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3000µohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
125W
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto