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BSC028N06NSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC028N06NSATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rolo completo98AK5416
Rodo à Medida79X1329RL
Segmento de fita79X1329
Também conhecido porBSC028N06NS, SP000917416
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.640 | $ 3.64 |
| Total Preço | $ 3.64 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.640 |
| 10+ | $ 2.190 |
| 25+ | $ 2.000 |
| 50+ | $ 1.800 |
| 100+ | $ 1.610 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5000+ | $ 1.110 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC028N06NSATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rolo completo98AK5416
Rodo à Medida79X1329RL
Segmento de fita79X1329
Também conhecido porBSC028N06NS, SP000917416
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0025ohm
Drain Source On State Resistance0.0028ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd83W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSC028N06NS is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. The MOSFET features 40% lower RDS (on) than alternative devices. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Saving space
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
Aplicações
Power Management, Alternative Energy, Motor Drive & Control, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0025ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation Pd
83W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.0028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (4)
Alternativas para BSC028N06NSATMA1
8 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto