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BSC021N08NS5ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Surface Mount
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 6.200 | $ 6.20 |
| Total Preço | $ 6.20 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.200 |
| 50+ | $ 3.250 |
| 100+ | $ 2.970 |
| 250+ | $ 2.760 |
| 500+ | $ 2.540 |
| 1000+ | $ 2.490 |
| 2500+ | $ 2.440 |
| 5000+ | $ 2.390 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC021N08NS5ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida42AH1616RL
Segmento de fita42AH1616
Gama de produtosOptiMOS 5
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0021ohm
On Resistance Rds(on)0.0016ohm
Transistor Case StyleTSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation214W
Power Dissipation Pd214W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0021ohm
Transistor Case Style
TSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
214W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto