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BSC018NE2LSIATMA1
MOSFET, N-CH, 25V, 100A, TDSON
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.980 | $ 1.98 |
| Total Preço | $ 1.98 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.980 |
| 10+ | $ 1.320 |
| 25+ | $ 1.190 |
| 50+ | $ 1.070 |
| 100+ | $ 0.943 |
| 250+ | $ 0.862 |
| 500+ | $ 0.780 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC018NE2LSIATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rodo à Medida34AC1374RL
Segmento de fita34AC1374
Gama de produtosOptiMOS
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0015ohm
Drain Source On State Resistance1500µohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd69W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para BSC018NE2LSIATMA1
6 produtos encontrados
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
On Resistance Rds(on)
0.0015ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation Pd
69W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
1500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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