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BSC012N06NSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TSON, Surface Mount
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.960 | $ 5.96 |
| Total Preço | $ 5.96 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.960 |
| 50+ | $ 3.960 |
| 100+ | $ 2.810 |
| 250+ | $ 2.660 |
| 500+ | $ 2.500 |
| 1000+ | $ 2.450 |
| 2500+ | $ 2.400 |
| 5000+ | $ 2.350 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC012N06NSATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida42AH1615RL
Segmento de fita42AH1615
Gama de produtosOptiMOS 5
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)900µohm
Drain Source On State Resistance0.0012ohm
Transistor Case StyleTSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation214W
Power Dissipation Pd214W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
900µohm
Transistor Case Style
TSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
214W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.0012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Power Dissipation Pd
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto