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BFP450H6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 4.5 V, 24 GHz, 500 mW, 170 mA, 95 hFE
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBFP450H6327XTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rodo à Medida98Y5997RL
Segmento de fita98Y5997
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.519 | $ 0.52 |
| Total Preço | $ 0.52 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.519 |
| 50+ | $ 0.329 |
| 100+ | $ 0.287 |
| 250+ | $ 0.266 |
| 500+ | $ 0.254 |
| 1000+ | $ 0.244 |
| 2500+ | $ 0.239 |
| 5000+ | $ 0.234 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBFP450H6327XTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rodo à Medida98Y5997RL
Segmento de fita98Y5997
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo5V
Collector Emitter Voltage Max5V
Transition Frequency24GHz
Power Dissipation Pd500mW
Power Dissipation500mW
DC Collector Current170mA
Continuous Collector Current170mA
Transistor Case StyleSOT-343
DC Current Gain hFE50hFE
RF Transistor CaseSOT-343
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE Min50hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- Surface mount high linearity wide band silicon NPN RF bipolar transistor
- low noise device based on a grounded emitter (SIEGET™)
- Transition frequency fT of 24GHz, collector design and high linearity characteristics
- Suitable for energy efficiency applications up to 3GHz
- Remains cost competitive without compromising on ease of use
- Minimum noise figure NFmin = 1.7dB at 1.9GHz, 3V, 50mA
- High gain Gma = 15.5dB at 1.9GHz, 3V, 90mA
- OIP3 = 31dBm at 1.9GHz, 3V, 90mA
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
500mW
DC Collector Current
170mA
Transistor Case Style
SOT-343
RF Transistor Case
SOT-343
DC Current Gain hFE Min
50hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
5V
Transition Frequency
24GHz
Power Dissipation
500mW
Continuous Collector Current
170mA
DC Current Gain hFE
50hFE
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (4)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto