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BAT1504RE6152HTSA1
RF Schottky Diode, Dual Series, 4 V, 110 mA, 300 mV, 0.25 pF, SOT-23
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBAT1504RE6152HTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rodo à Medida68AC4376RL
Segmento de fita68AC4376
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rodo à Medida | 1 | $ 0.883 | $ 0.88 |
| Total Preço | $ 0.88 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.883 |
| 10+ | $ 0.572 |
| 25+ | $ 0.511 |
| 50+ | $ 0.451 |
| 100+ | $ 0.390 |
| 250+ | $ 0.351 |
| 500+ | $ 0.312 |
| 1000+ | $ 0.287 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBAT1504RE6152HTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rodo à Medida68AC4376RL
Segmento de fita68AC4376
Ficha técnica
Descrição geral do produto
Silicon RF Schottky diode suitable for use with mixers and detectors in satellite systems, low noise blocks for Ku bands and security systems.
- Silicon low barrier N-type device with integrated guard ring on-chip for over-voltage protection
- Low inductance and low capacitance
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
- Reverse series pair pin configuration
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
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Certificado de conformidade do produto