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AUIRFR2905ZTRL
MOSFET, N-CH, 55V, 59A, TO-252
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.620 | $ 2.62 |
| Total Preço | $ 2.62 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.620 |
| 10+ | $ 1.870 |
| 25+ | $ 1.840 |
| 50+ | $ 1.810 |
| 100+ | $ 1.780 |
| 250+ | $ 1.660 |
| 500+ | $ 1.490 |
| 1000+ | $ 1.290 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteAUIRFR2905ZTRLCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida31AJ4615RL
Segmento de fita31AJ4615
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id59A
On Resistance Rds(on)0.0111ohm
Drain Source On State Resistance0.0111ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd110W
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
On Resistance Rds(on)
0.0111ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
110W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
59A
Drain Source On State Resistance
0.0111ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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