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AUIRF7343QTR
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteAUIRF7343QTRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida43AC2192RL
Segmento de fita43AC2192
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rodo à Medida | 1 | $ 2.730 | $ 2.73 |
| Total Preço | $ 2.73 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.730 |
| 50+ | $ 2.400 |
| 100+ | $ 2.170 |
| 250+ | $ 1.940 |
| 500+ | $ 1.690 |
| 1000+ | $ 1.450 |
| 2500+ | $ 1.320 |
| 5000+ | $ 1.250 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteAUIRF7343QTRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida43AC2192RL
Segmento de fita43AC2192
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id N Channel4.7A
Continuous Drain Current Id P Channel4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.043ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.043ohm
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.043ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.043ohm
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
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Certificado de conformidade do produto