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AUIRF7343QTR
MOSFET, AEC-Q101, DUAL, 55V, 4.7A
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteAUIRF7343QTRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida43AC2192RL
Segmento de fita43AC2192
Gama de produtosHEXFET Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.730 | $ 2.73 |
| Total Preço | $ 2.73 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.730 |
| 50+ | $ 2.400 |
| 100+ | $ 2.170 |
| 250+ | $ 1.940 |
| 500+ | $ 1.690 |
| 1000+ | $ 1.450 |
| 2500+ | $ 1.320 |
| 5000+ | $ 1.250 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteAUIRF7343QTRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida43AC2192RL
Segmento de fita43AC2192
Gama de produtosHEXFET Series
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds55V
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id4.7A
Continuous Drain Current Id N Channel4.7A
Continuous Drain Current Id P Channel4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.043ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.043ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Descrição geral do produto
- Automotive HEXFET® power MOSFET
- Automotive qualified
- Advanced planar technology
- Ultra-low on-resistance
- Logic level gate drive
- Dual N and P channel MOSFET
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Continuous Drain Current Id
4.7A
Continuous Drain Current Id P Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.043ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.043ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2018)
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Certificado de conformidade do produto