Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteAUIRF7313QTRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante100 semanas
Código Newark
Rodo à Medida91Y4157RL
Segmento de fita91Y4157
Gama de produtosHEXFET Series
Seu número de peça
3,480 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.750 | $ 2.75 |
| Total Preço | $ 2.75 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.750 |
| 50+ | $ 2.420 |
| 100+ | $ 2.180 |
| 250+ | $ 1.950 |
| 500+ | $ 1.700 |
| 1000+ | $ 1.460 |
| 2500+ | $ 1.330 |
| 5000+ | $ 1.260 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteAUIRF7313QTRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante100 semanas
Código Newark
Rodo à Medida91Y4157RL
Segmento de fita91Y4157
Gama de produtosHEXFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id6.9A
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel6.9A
Continuous Drain Current Id P Channel6.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.029ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.023ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.4W
Power Dissipation P Channel2.4W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.9A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.023ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.4W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.029ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.4W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
