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G3F75MT12J-TR
Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 31 A, 1.2 kV, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK)
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteGENESIC
Nº da peça do fabricanteG3F75MT12J-TRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark16AM7757
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 22 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 800+ | $ 5.840 |
| 1600+ | $ 5.720 |
| 2400+ | $ 5.610 |
| 4000+ | $ 5.490 |
| 8000+ | $ 5.370 |
| 20000+ | $ 5.260 |
| 40000+ | $ 5.140 |
| 80000+ | $ 5.020 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 800
Vários: 800
$ 4,672.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteGENESIC
Nº da peça do fabricanteG3F75MT12J-TRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark16AM7757
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation140W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
31A
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
140W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:A ser informado
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificado de conformidade do produto