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G3F45MT06K
Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 52 A, 650 V, 0.054 ohm, TO-247
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FabricanteGENESIC
Nº da peça do fabricanteG3F45MT06KCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark16AM7750
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 22 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 500+ | $ 10.510 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 600
Vários: 600
$ 6,306.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteGENESIC
Nº da peça do fabricanteG3F45MT06KCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark16AM7750
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id52A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.054ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation167W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
52A
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
167W
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:A ser informado
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Dec-2015)
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