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G3F18MT12FB4
Silicon Carbide MOSFET, Full Bridge, N Channel, 53 A, 1.2 kV, 0.024 ohm, Module
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FabricanteGENESIC
Nº da peça do fabricanteG3F18MT12FB4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark39AM8768
Gama de produtosSiCPAK F Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 138.160 |
| 5+ | $ 134.460 |
| 10+ | $ 130.600 |
| 25+ | $ 128.660 |
| 96+ | $ 126.770 |
| 144+ | $ 119.160 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 138.16
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Informação do produto
FabricanteGENESIC
Nº da peça do fabricanteG3F18MT12FB4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark39AM8768
Gama de produtosSiCPAK F Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationFull Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id53A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation106W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSiCPAK F Series
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Full Bridge
Continuous Drain Current Id
53A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
106W
Product Range
SiCPAK F Series
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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